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Description
Foram fabricados filmes finos de Pb(Zr0,2Ti0,8)O3 utilizando a técnica de deposição física por rádio frequência (RF-Sputtering) crescidos sobre camada de 300 nm de CoFe2O4 em substrato de Si (1 0 0). Os filmes fabricados possuem espessuras de 20, 50, 100 e 300 nm e foram cristalizados em forno RTA a temperatura de 700 °C por 3 min. Foi verificado que o tamanho médio de grãos aumenta com o aumento da espessura dos filmes. De maneira geral, os resultados obtidos indicam que o sistema passa a ser tipicamente ferroelétrico para os filmes com tamanho médio de grãos superior a 200 nm, em que, também foi verificado um aumento significativo da quantidade de domínios ferroelétricos. Também foi estudado o avanço da relaxação nas propriedades dielétricas em função da espessura dos filmes, onde, um dos mecanismos de relaxação corre para regiões de alta frequência.
| Aluno de: | Doutorado |
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