Controlando as propriedades eletrônicas do isolante topológico de seleneto de bismuto

2 Dec 2016, 17:25
15m
Salão dos Conselhos (UFLA)

Salão dos Conselhos

UFLA

Speaker

Dr Igor Santos de Oliveira (UFLA)

Description

Isolantes topológicos são materiais que possem um gap de energia na região do nível de Fermi em sua estrutura de bandas eletrônica, o que o tornam isolantes. Porém, o que o tornam esses materiais diferentes é o fato de possuírem estados metálicos protegidos em sua borda ou superfície. Estes estados estão associados a uma combinação de interações spin-órbita e simetria de reversão temporal. O seleneto de bismuto (Bi$_2$Se$_3$) está entre os isolantes topológicos tridimensionais mais investigados atualmente. A fase bulk do Bi$_2$Se$_3$ apresenta uma estrutura romboédrica composta por camadas atômicas quíntuplas (Quintuple Layers - QL) empilhadas ao longo do eixo-c, as interações entre QLs são dominadas por forças de van der Waals (vdW). Existem vários estudos recentes na literatura investigando o efeito de adicionar espécies hóspedes no gap de vdW (região entre duas QLs) dos isolantes topológicos, o objetivo destes trabalhos é obter um controle das propriedades do material. Em particular, um recente trabalho mostrou a possibilidade de sintetizar moléculas orgânicas de piridina intercaladas entre os gap de vdW do Bi$_2$Se$_3$. Um dos efeitos de intercalar as moléculas é um aumento na distância de separação entre as QLs. Neste trabalho, foi usado simulações de primeiros princípios para propor um mecanismo de controlar a ocorrência de estados metálicos no Bi$_2$Se$_3$, através da combinação de intercalamento de moléculas de piridina e aplicação de uma pressão externa comprimindo o sistema. Além disso, vamos investigar a interação do Bi$_2$Se$_3$ com um substrato amorfo de dióxido de silício.

Tipo de Apresentação Oral

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